Mengurangkan Pelepasan Karbon dalam Proses Pembuatan Semikonduktor: Mengapa Penggunaan Pemanas Inframerah Berkesan
Mari kita bercakap tentang faktor-faktor yang berkaitan dengan penggunaan tenaga haba. Dalam fasiliti pembuatan semikonduktor, faktor ini sangat penting. Namun, jika masih menggunakan kaedah pemanasan tradisional, anda sebenarnya sedang membazirkan tenaga untuk memanaskan seluruh bilik tersebut hanya untuk memanaskan satu keping wafer sahaja. Ini merupakan pembaziran tenaga yang besar, dan inilah sebab utama mengapa jejak karbon di kilang-kilang pembuatan semikonduktor begitu tinggi.
Kami telah menemukan cara yang lebih baik: penggunaan pemanas inframerah yang sesuai untuk digunakan dalam keadaan vakum. Daripada memanaskan seluruh bilik, kita boleh fokuskan haba secara langsung pada wafer tersebut.
Logik di sebalik penggunaan haba
Dalam keadaan vakum, tiada proses konveksi yang dapat membantu memanaskan bahan. Yang ada hanyalah pancaran radiasi dan konduksi haba. Kita menggunakan lampu pancaran gelombang pendek yang mampu menembusi bahan tersebut tanpa perlu memanaskan dinding bilik terlebih dahulu. Ini merupakan cara yang lebih efisien. Oleh kerana tenaga digunakan secara tepat di tempat yang diperlukan, masa yang diperlukan untuk memanaskan wafer juga berkurangan dengan ketara.
Laju proses yang lebih cepat. Penggunaan tenaga yang lebih sedikit. Sangat mudah.
Bukan lampu biasa
Anda tidak boleh sekadar menggunakan lampu biasa di sini. Itu akan menyebabkan masalah besar. Kami menggunakan lampu yang diperbuat daripada kuarsa berkualiti tinggi, kerana kebocoran gas dari lampu yang murah boleh merosakkan wafer tersebut. Kami juga menggunakan kawalan PID yang tepat agar suhu tidak melebihi had yang ditetapkan. Selain itu, jika anda meningkatkan kuasa lampu tanpa sistem penyejukan yang sesuai, filamen lampu akan terbakar lebih cepat daripada yang sepatutnya.
Keseimbangan antara kelajuan dan tekanan
Kelebihan utamanya ialah ia dapat mengelakkan masalah “inersia haba”. Anda tidak perlu menunggu seketul logam besar menjadi panas sebelum boleh memulakan proses pembuatan. Ini memudahkan proses pembuatan dan mengurangkan jejak karbon secara serta-merta.
Namun, ada satu perkara yang perlu diambil kira: kepadatan tenaga yang digunakan. Jika kuasa yang digunakan terlalu tinggi, perbezaan suhu akan menjadi terlalu besar. Ini akan menyebabkan wafer menjadi rosak. Anda perlu menyesuaikan jarak antara lampu dan kuasa yang digunakan agar permukaan wafer tetap rata.
Ia merupakan keseimbangan antara kelajuan yang diinginkan dan kestabilan struktur wafer. Jika dilakukan dengan betul, sistem ini akan menjadi cepat, mesra alam, dan boleh dipercayai.