Pare de aquecer sua máquina e comece a aquecer as wafers diretamente.
Se você já trabalhou com wafers de silício, sabe bem dos desafios envolvidos. É necessário um controle preciso da temperatura, mas as lâmpadas de infravermelho convencionais são problemáticas. Elas emitem radiação para todos os lados.
O problema é que essa energia não atinge apenas a wafe; ela também atinge as paredes internas do equipamento. Assim, a câmara, que deveria ser um ambiente controlado, acaba funcionando como um radiador gigante. Isso representa um desperdício de energia e, além disso, representa um risco à segurança. Ninguém quer uma máquina que fique perigosamente quente ao toque.
Como resolvemos esse problema
Para resolver isso, utilizamos refletores específicos para direcionar a radiação para a wafe. Em vez de usar apenas um tubo de quartzo, usamos refletores que direcionam os fótons infravermelhos diretamente para a wafe. Dessa forma, a energia fica exatamente onde precisa estar. A wafe recebe o calor necessário, enquanto a estrutura da máquina permanece fria.
Lidando com a intensidade da luz
As lâmpadas de alta potência são eficazes, mas elas exigem um sistema de refrigeração eficiente. Se o fluxo de ar ou o sistema de resfriamento não for suficiente, haverá desvios térmicos. Para evitar isso, é preciso ajustar o controlador PID de acordo com o tempo de resposta real das lâmpadas. Isso evita que a temperatura ultrapasse os limites desejados.
Implementação prática
Substituir essas lâmpadas é fácil, mas o importante é a precisão na instalação. Se houver mesmo que alguns milímetros de erro, haverá pontos quentes, o que afeta a consistência do processo. Utilizamos suportes precisos para garantir que o feixe de luz atinja exatamente o centro da wafe.
E o melhor? O problema das “paredes quentes” desaparece. Você pode aumentar a temperatura do processo sem correr o risco de danificar os componentes da máquina ou prejudicar os operadores. A máquina funciona mais fria, dura mais tempo e mantém todos em segurança.